文献
J-GLOBAL ID:200902052749058465
整理番号:86A0215476
シリコン金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける1/f雑音とランダムテレグラフ雑音
1/F and random telegraph noise in silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
著者 (3件):
UREN M J
(Royal Signals and Radar Establishment, United Kingdom)
,
DAY D J
(Royal Signals and Radar Establishment, United Kingdom)
,
KIRTON M J
(Royal Signals and Radar Establishment, United Kingdom)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
47
号:
11
ページ:
1195-1197
発行年:
1985年12月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)