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文献
J-GLOBAL ID：200902053243489561
整理番号：88A0558489
GaAsおよびAlAsの分子ビームエピタキシャル成長での反射差分光法の利用
Application of reflectance difference spectroscopy to molecular-beam epitaxy growth of GaAs and AlAs.
ASPNES D E
(Bellcore, NJ, USA)
,
HARBISON J P
(Bellcore, NJ, USA)
,
STUDNA A A
(Bellcore, NJ, USA)
,
FLOREZ L T
(Bellcore, NJ, USA)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 6 号： 3 Pt.2 ページ： 1327-1332 発行年： 1988年05月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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