文献
J-GLOBAL ID:200902053268973484
整理番号:86A0345832
分子ビームエピタキシー法による正常および反転界面の形成の動力学 高エネルギー電子回折によるGaAs/AlxGa1-xAs(100)系多重量子井戸構造の動特性研究
Kinetics of the formation of normal and inverted molecular beam epitaxial interfaces: A reflection high-energy electron diffraction dynamics study of GaAs/AlxGa1-xAs(100) multiple quantum wells.
著者 (4件):
YEN M Y
(Univ. Southern California)
,
LEE T C
(Univ. Southern California)
,
CHEN P
(Univ. Southern California)
,
MADHUKAR A
(Univ. Southern California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
4
号:
2
ページ:
590-593
発行年:
1986年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)