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文献
J-GLOBAL ID：200902053800287195
整理番号：89A0436633
シリコン-オン-サファイアおよびサファイア基板に堆積したGaAsのヘテロエピタキシャル成長と特性評価
Heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on silicon-on-sapphire and sapphire substrates.
HUMPHREYS T P
(Bell-Northern Research Ltd., Ontario, CAN)
,
MINER C J
(Bell-Northern Research Ltd., Ontario, CAN)
,
POSTHILL J B
(Research Triangle Inst., NC, USA)
,
DAS K
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SUMMERVILLE M K
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
NEMANICH R J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SUKOW C A
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
PARIKH N R
(Univ. North Carolina, NC, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 54 号： 17 ページ： 1687-1689 発行年： 1989年04月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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