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文献
J-GLOBAL ID：200902054263969558
整理番号：90A0019696
rfスパッタリングで作製したSiO2がラス薄膜にドープされた半導体微結晶の量子サイズ効果
Quantum size effect of semiconductor microcrystallites doped in SiO2-glass thin films prepared by Rf-sputtering.
TSUNETOMO K
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
NASU H
(Mie Univ., Tsu)
,
KITAYAMA H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
KAWABUCHI A
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
OSAKA Y
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
TAKIYAMA K
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 28 号： 10 ページ： 1928-1933 発行年： 1989年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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