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文献
J-GLOBAL ID：200902054302469738
整理番号：86A0278832
ハロゲンランプ焼きなましで得た,AlGaAs/GaAs及びIn0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As変調ドープ構造への低抵抗Ohm接触
Low-resistance Ohmic contacts to AlGaAs/GaAs and In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As modulation-doped structures obtained by halogen lamp annealing.
HONG W-P
(Univ. Michigan)
,
SEO K S
(Univ. Michigan)
,
BHATTACHARYA P K
(Univ. Michigan)
,
LEE H
(ITT, VA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 7 号： 5 ページ： 320-323 発行年： 1986年05月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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