文献
J-GLOBAL ID:200902054681926172
整理番号:86A0509115
分子ビームエピタキシーで成長させたGaAs層中の78meVのアクセプタの光ルミネセンス
Photoluminescence of the 78meV acceptor in GaAs layers grown by molecular beam epitaxy.
著者 (5件):
MIHARA M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
MANNOH M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
SHINOZAKI K
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
NARITSUKA S
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
ISHII M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
25
号:
7
ページ:
L611-L613
発行年:
1986年07月
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)