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文献
J-GLOBAL ID：200902054708885449
整理番号：82A0261712
不純物濃度の高い微粒子をホットプレスして作ったSiとGeの合金において,フォノン-粒界散乱が格子熱伝導度と熱起電力変換係数に及ぼす影響
The effect of phonon-grain boundary scattering on the lattice thermal conductivity and thermoelectric conversion efficiency of heavily doped finegrained, hot-pressed silicon germanium alloy.
ROWE D M
(Univ. Wales Inst. Science and Technology, United Kingdom)
,
SHUKLA V S
(Univ. Wales Inst. Science and Technology, United Kingdom)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 12 ページ： 7421-7426 発行年： 1981年12月
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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