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文献
J-GLOBAL ID：200902054710920529
整理番号：85A0392586
GaAsP-InGaAsひずみ層超格子利用によるGaAsエピタキシャル層の欠陥低減
Defect reduction in GaAs epitaxial layers using a GaAsP-InGaAs strainedlayer superlattice.
TISCHLER M A
(North Carolina State Univ.)
,
KATSUYAMA T
(North Carolina State Univ.)
,
EL-MASRY N A
(North Carolina State Univ.)
,
BEDAIR S M
(North Carolina State Univ.)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 46 号： 3 ページ： 294-296 発行年： 1985年02月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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