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文献
J-GLOBAL ID：200902055053795456
整理番号：88A0303914
セシウムによって修飾されたSi(111)7×7表面上のSiO2-Si界面の熱成長
Thermal growth of SiO2-Si interfaces on a Si(111)7×7 surface modified by cesium.
STARNBERG H I
(Northern Illinois Univ., IL, USA)
,
SOUKIASSIAN P
(Northern Illinois Univ., IL, USA)
,
BAKSHI M H
(Northern Illinois Univ., IL, USA)
,
HURYCH Z
(Northern Illinois Univ., IL, USA)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 37 号： 3 ページ： 1315-1319 発行年： 1988年01月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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