文献
J-GLOBAL ID:200902055440720774
整理番号:92A0211269
Si基板上に共晶金属ボンドで作った高品質のAlGaAs-GaAs薄膜
High-quality eutectic-metal-bonded AlGaAs-GaAs thin films on Si substrates.
著者 (5件):
VENKATASUBRAMANIAN R
(Research Triangle Inst., North Carolina)
,
TIMMONS M L
(Research Triangle Inst., North Carolina)
,
HUMPHREYS T P
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
KEYES B M
(Solar Energy Research Inst., Colorado)
,
AHRENKIEL R K
(Solar Energy Research Inst., Colorado)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
60
号:
7
ページ:
886-888
発行年:
1992年02月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)