文献
J-GLOBAL ID:200902055535092118
整理番号:87A0101792
スイッチレーザを使う有機金属気相エピタキシーによるGaAsの成長
Growth of GaAs by switched laser metalorganic vapor phase epitaxy.
著者 (3件):
DOI A
(Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
,
AOYAGI Y
(Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
,
NAMBA S
(Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
48
号:
26
ページ:
1787-1789
発行年:
1986年06月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)