文献
J-GLOBAL ID:200902055681609319
整理番号:87A0031236
熱的に成長させたSiO2の応力緩和法
Stress relaxation technique for thermally grown SiO2.
著者 (2件):
LANDSBERGER L M
(Stanford Univ., CA, USA)
,
TILLER W A
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
49
号:
3
ページ:
143-145
発行年:
1986年07月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)