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文献
J-GLOBAL ID：200902055807392710
整理番号：92A0752445
レーザ物理蒸着による(100)シリコン基板上へのTiN膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of TiN films on (100) silicon substrates by laser physical vapor deposition.
NARAYAN J
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
TIWARI P
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
CHEN X
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
SINGH J
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
CHOWDHURY R
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
ZHELEVA T
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 61 号： 11 ページ： 1290-1292 発行年： 1992年09月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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