文献
J-GLOBAL ID:200902056184750799
整理番号:91A0537874
ドープ無しのSiGeスペーサを用いたCRYO-BiCMOS回路用のSi/SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ
A Si/SiGe heterojunction bipolar transistor with undoped SiGe spacer for CRYO-BiCMOS circuits.
著者 (6件):
YAMAZAKI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
IMAI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TASHIRO T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
NIINO T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAKAMAE M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1990
ページ:
379-382
発行年:
1990年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)