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文献
J-GLOBAL ID：200902056677928058
整理番号：91A0936875
InP上の窒化ほう素ゲート絶縁膜のプラズマ増強化学蒸着と特性評価
Plasma enhanced chemical vapor deposition and characterization of boron nitride gate insulators on InP.
BATH A
(Univ. Metz, Metz, FRA)
,
VAN DER PUT P J
(Delft Univ., Delft, NLD)
,
BECHT J G M
(Delft Univ., Delft, NLD)
,
SCHOONMAN J
(Delft Univ., Delft, NLD)
,
LEPLEY B
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 70 号： 8 ページ： 4366-4370 発行年： 1991年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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