文献
J-GLOBAL ID:200902056919836536
整理番号:86A0110421
多水準スキューした金属膜線の寄生容量について
On the parasitic capacitances of multilevel skewed metallization lines.
著者 (3件):
TAYLOR C D
(Mississippi State Univ.)
,
ELKHOURI G N
(Mississippi State Univ.)
,
WADE T E
(Mississippi State Univ.)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
33
号:
1
ページ:
41-46
発行年:
1986年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)