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文献
J-GLOBAL ID:200902057396928543   整理番号:83A0275753

プラズマさや電場とrfパワー密度によるプラズマエッチプロフィルの制御

Control of plasma etch profiles with plasma sheath electric field and rf power density.
著者 (2件):
ZAROWIN C B
(IBM Corp., New York)
HORWATH R S
(IBM Corp., New York)

資料名:
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

巻: 129  号: 11  ページ: 2541-2547  発行年: 1982年11月 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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