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文献
J-GLOBAL ID：200902057465294187
整理番号：90A0348430
直接書込み集束イオンビームを利用して製作した面内ゲート量子細線トランジスタ
In-plane-gated quantum wire transistor fabricated with directly written focused ion beams.
WIECK A D
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
PLOOG K
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 56 号： 10 ページ： 928-930 発行年： 1990年03月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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