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文献
J-GLOBAL ID：200902057767052573
整理番号：87A0111403
SiへのMeVエネルギーのB+,P+およびAs+イオン注入
MeV-energy B+, P+ and As+ ion implantation into Si.
TAMURA M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
NATSUAKI N
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
WADA Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
MITANI E
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials
(Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials)
ページ： 537-540 発行年： 1986年
JST資料番号： K19860706 ISBN： 4-930813-14-X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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