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文献
J-GLOBAL ID：200902058577231273
整理番号：89A0311835
高温超伝導体薄膜のエピタキシャル成長のための低損失基板
Low-loss substrate for epitaxial growth of high-temperature superconductor thin films.
SIMON R W
(TRW Space & Technology Group, CA, USA)
,
PLATT C E
(TRW Space & Technology Group, CA, USA)
,
LEE A E
(TRW Space & Technology Group, CA, USA)
,
LEE G S
(TRW Space & Technology Group, CA, USA)
,
DALY K P
(TRW Space & Technology Group, CA, USA)
,
WIRE M S
(TRW Space & Technology Group, CA, USA)
,
LUINE J A
(TRW Space & Technology Group, CA, USA)
,
URBANIK M
(Commercial Crystal Lab., Inc., FL, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 53 号： 26 ページ： 2677-2679 発行年： 1988年12月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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