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文献
J-GLOBAL ID：200902059297214078
整理番号：89A0511074
低圧化学蒸着とプラズマ促進化学蒸着法で作製した窒化けい素膜中の水素の安定性
Stability of hydrogen in silicon nitride films deposited by low-pressure and plasma enhanced chemical vapor deposition techniques.
XIE J Z
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
MURARKA S P
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
GUO X S
(State Univ. New York at Albany, NY, USA)
,
LANFORD W A
(State Univ. New York at Albany, NY, USA)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 7 号： 2 ページ： 150-152 発行年： 1989年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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