文献
J-GLOBAL ID:200902059488316539
整理番号:87A0301302
Zn及びSをドープしたけい素フォトダイオードでの現象
Phenomena in silicon photodiodes doped with Zn and S.
著者 (8件):
HARUTYUNYAN V M
(State Univ. Yerevan, SUN)
,
ADAMYAN Z N
(State Univ. Yerevan, SUN)
,
BARSEGHYAN R S
(State Univ. Yerevan, SUN)
,
GASPARYAN F V
(State Univ. Yerevan, SUN)
,
AZARYAN M H
(State Univ. Yerevan, SUN)
,
SEMERDJIAN B O
(State Univ. Yerevan, SUN)
,
MKHITARYAN Z H
(State Univ. Yerevan, SUN)
,
MELKONYAN S V
(State Univ. Yerevan, SUN)
資料名:
Infrared Physics
(Infrared Physics)
巻:
26
号:
5
ページ:
267-272
発行年:
1986年09月
JST資料番号:
H0184A
ISSN:
0020-0891
CODEN:
INFPAD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)