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文献
J-GLOBAL ID：200902059585547405
整理番号：85A0473476
シリコン中のほう素付近への水素の局在化
Hydrogen localization near boron in silicon.
PANKOVE J I
(RCA, New Jersey)
,
ZANZUCCHI P J
(RCA, New Jersey)
,
MAGEE C W
(RCA, New Jersey)
,
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ.)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 46 号： 4 ページ： 421-423 発行年： 1985年02月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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