文献
J-GLOBAL ID:200902059672134273
整理番号:81A0079619
MBEによる成長過程におけるSnをドープしたGaAsの表面構造の振動
Oscillations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE.
著者 (3件):
HARRIS J J
(Philips, England)
,
JOYCE B A
(Philips, England)
,
DOBSON P J
(Imperial Coll. Science and Technology, London)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
103
号:
1
ページ:
L90-L96
発行年:
1981年02月
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)