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J-GLOBAL ID：200902060662401794 整理番号：91A0572179

(111)Aパターン基板上のGaAs(Si)のMBE成長 CLによる評価

MBE growth of GaAs (Si) on patterned (111)A substrates. Characterization by CL method.

著者 (8件)：

藤井元忠

(ATR光電波通信研)

武部敏彦

(ATR光電波通信研)

繁田光浩

(ATR光電波通信研)

山本悌二

(ATR光電波通信研)

小林規矩男

(ATR光電波通信研)

下村哲

(大阪大基礎工)

冷水佐寿

(大阪大基礎工)

藤本勲

(NHK 放送技研)

資料名：

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻： 38th 号： Pt 1 ページ： 215 発行年： 1991年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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