文献
J-GLOBAL ID:200902060998561188
整理番号:90A0313542
バイアスオフセット技術を用いた電圧制御可能線形MOSトランスコンダクタ
A voltage-controllable linear MOS transconductor using bias offset technique.
著者 (2件):
WANG Z
(Swiss Federal Inst. Technology Zurich, CHE)
,
GUGGENBUEHL W
(Swiss Federal Inst. Technology Zurich, CHE)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
25
号:
1
ページ:
315-317
発行年:
1990年02月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)