文献
J-GLOBAL ID:200902061122975313
整理番号:90A0371425
デュアルゲートW-ポリサイドCMOSのドープ不純物再分布とRTAによるその改良
Dopant redistribution in dual gate W-polycide CMOS and its improvement by RTA.
著者 (6件):
HAYASHIDA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TOYOSHIMA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUIZU Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MITSUHASHI K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MAEGUCHI K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1989
ページ:
29-30
発行年:
1989年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)