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文献
J-GLOBAL ID:200902061586943597   整理番号:86A0309960

強誘電性高分子薄膜をゲート絶縁体に使用した金属-絶縁体-半導体(MIS)素子

A metal-insulator-semiconductor (MIS) device using a ferroelectric polymer thin film in the gate insulator.
著者 (1件):
YAMAUCHI N
(Electrical Communications Lab., Tokai-mura)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 25  号:ページ: 590-594  発行年: 1986年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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