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文献
J-GLOBAL ID：200902061586943597
整理番号：86A0309960
強誘電性高分子薄膜をゲート絶縁体に使用した金属-絶縁体-半導体(MIS)素子
A metal-insulator-semiconductor (MIS) device using a ferroelectric polymer thin film in the gate insulator.
YAMAUCHI N
(Electrical Communications Lab., Tokai-mura)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 25 号： 4 ページ： 590-594 発行年： 1986年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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