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文献
J-GLOBAL ID：200902061722580991
整理番号：84A0329940
分子線エピタクシャル成長法によるGexSi1-x/Siひずみ層超格子ひずみ
GexSi1-x/Si strained-layer superlattice grown by molecular beam epitaxy.
BEAN J C
(AT&T, New Jersey)
,
FELDMAN L C
(AT&T, New Jersey)
,
FIORY A T
(AT&T, New Jersey)
,
NAKAHARA S
(AT&T, New Jersey)
,
ROBINSON I K
(AT&T, New Jersey)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 2 号： 2 Pt 1 ページ： 436-440 発行年： 1984年04月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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