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文献
J-GLOBAL ID：200902062715605870
整理番号：91A0285654
ゲート品質のSi/SiO2界面を低温で作るための希釈酸素/ヘリウムプラズマ中のSiの低速プラズマ酸化
Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO2 interfaces.
BRIGHT A A
(IBM Research Division, New York)
,
BATEY J
(IBM Research Division, New York)
,
TIERNEY E
(IBM Research Division, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 58 号： 6 ページ： 619-621 発行年： 1991年02月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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