文献
J-GLOBAL ID:200902062758128153
整理番号:83A0126900
Siイオン注入で非晶質化した多結晶薄膜の固相エピタキシャル再結晶
Solid phase epitaxial recrystallization of thin polysilicon films amorphized by silicon ion implantation.
著者 (2件):
KWIZERA P
(Massachusetts Inst. Technology)
,
REIF R
(Massachusetts Inst. Technology)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
41
号:
4
ページ:
379-381
発行年:
1982年08月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)