文献
J-GLOBAL ID:200902063386007725
整理番号:87A0154691
イオン注入α-チタン中のけい素の焼なまし挙動
Annealing behavior of Si in ion-implanted α-Ti.
著者 (2件):
RAEISAENEN J
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
,
KEINONEN J
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
49
号:
13
ページ:
773-775
発行年:
1986年09月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)