文献
J-GLOBAL ID:200902063704195994
整理番号:87A0046101
プラズマ増強がある場合とない場合の減圧化学気相成長法による多結晶シリコン膜の構造的及び電気的性質
Structural and electrical properties of polycrystalline silicon films deposited by low pressure chemical vapor deposition with and without plasma enhancement.
著者 (3件):
HAJJAR J-J J
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
REIF R
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
ADLER D
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
15
号:
5
ページ:
279-285
発行年:
1986年09月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)