文献
J-GLOBAL ID:200902063970517786
整理番号:92A0163508
二段階遠隔プラズマ支援酸化-堆積によるSiO2/Si(100)界面の低温作製
Low-temperature preparation of SiO2/Si(100) interfaces using a two-step remote plasma-assisted oxidation-deposition process.
著者 (4件):
YASUDA T
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
MA Y
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
HABERMEHL S
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
60
号:
4
ページ:
434-436
発行年:
1992年01月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)