文献
J-GLOBAL ID:200902063980600754
整理番号:92A0174260
トンネリングを含むデバイスシミュレーション用新再結合モデル
A New Recombination Model for Device Simulation Including Tunneling.
著者 (3件):
HURKX G A M
(Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
,
KLAASSEN D B M
(Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
,
KNUVERS M P G
(Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
39
号:
2
ページ:
331-338
発行年:
1992年02月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)