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文献
J-GLOBAL ID：200902064088196724
整理番号：87A0011633
エピタキシャル半導体Ramanレーザの特性
Characteristics of the epitaxial semiconductor Raman laser.
SUTO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NISHIZAWA J
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEE Proceedings. Part J. Optoelectronics
(IEE Proceedings. Part J. Optoelectronics)
巻： 133 号： 4 ページ： 259-263 発行年： 1986年08月
JST資料番号： B0058D ISSN： 0267-3932 CODEN： IPJOEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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