文献
J-GLOBAL ID:200902064376097358
整理番号:87A0050147
常圧MOVPEで成長させた低しきい値(0.8kA/cm2)InGaAsP/InP DH1.5μmレーザ
Very low-threshold (0.8kA/cm2) InGaAsP/InP DH 1.5μm lasers grown by atmospheric MOVPE.
著者 (7件):
DEVLIN W J
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
,
SIDHU J
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
,
COLE S
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
,
HARLOW M
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
,
WESTBROOK L D
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
,
NELSON A W
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
,
REGNAULT J C
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
22
号:
11
ページ:
584-585
発行年:
1986年05月22日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)