文献
J-GLOBAL ID:200902064797906956
整理番号:87A0109851
薄いSOI膜で作ったラテラルCOMFET
A lateral COMFET made in thin silicon-on-insulator film.
著者 (2件):
COLINGE J-P
(Hewlett-Packard Lab., CA, USA)
,
CHIANG S-Y
(Hewlett-Packard Lab., CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
7
号:
12
ページ:
697-699
発行年:
1986年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)