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文献
J-GLOBAL ID：200902064812386123
整理番号：89A0123095
GaP:(N,Bi)の光ルミネセンスにおよぼす等電子ドーバンドと励起速度の影響
Influence of the isoelectronic dopants and of the excitation rate on the photoluminescence of GaP:(N, Bi).
JIANG B
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LIU X
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LIN X
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
WANG N
(Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN)
,
CHEN J
(Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN)
,
YANG S
(Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN)
,
YIE L
(Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN)
資料名：
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻： 68 号： 9 ページ： 853-858 発行年： 1988年12月
JST資料番号： H0499A ISSN： 0038-1098 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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