文献
J-GLOBAL ID:200902064975641805
整理番号:91A0302883
高速デバイスおよびオプトエレクトロニクデバイス用高品位AlInAsの低圧有機金属化学蒸着による成長
Growth of high quality AlInAs by low pressure organometallic chemical vapor deposition for high speed and optoelectronic device applications.
著者 (8件):
BHAT R
(Bellcore, New Jersey, USA)
,
KOZA M A
(Bellcore, New Jersey, USA)
,
KASH K
(Bellcore, New Jersey, USA)
,
ALLEN S J
(Bellcore, New Jersey, USA)
,
HONG W P
(Bellcore, New Jersey, USA)
,
SCHWARZ S A
(Bellcore, New Jersey, USA)
,
CHANG G K
(Bellcore, New Jersey, USA)
,
LIN P
(Bellcore, New Jersey, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
108
号:
3/4
ページ:
441-448
発行年:
1991年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)