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文献
J-GLOBAL ID：200902065188168929
整理番号：88A0379804
O2+とCs+のイオン衝撃過程での表面形状変化によるSiおよびGaAsの二次イオン収率変化
Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during O2+ or Cs+ ion bombardment.
STEVIE F A
(AT&T Bell Lab., PA, USA)
,
KAHORA P M
(AT&T Bell Lab., PA, USA)
,
SIMONS D S
(National Bureau of Standards, MD, USA)
,
CHI P
(National Bureau of Standards, MD, USA)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 6 号： 1 ページ： 76-80 発行年： 1988年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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