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文献
J-GLOBAL ID：200902065280882450
整理番号：87A0062894
理想的なβ-IC特性をもったInGaAs/InP二重ヘテロ構造バイポーラトランジスタ
InGaAs/InP double-heterostructure bipolar transistors with near-ideal β versus IC characteristic.
NOTTENBURG R N
(Bell Communications Research, NJ, USA)
,
TEMKIN H
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
PANISH M B
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
BHAT R
(Bell Communications Research, NJ, USA)
,
BISCHOFF J C
(Bell Communications Research, NJ, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 7 号： 11 ページ： 643-645 発行年： 1986年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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