文献
J-GLOBAL ID:200902065308354322
整理番号:87A0109844
電力MOSFETのための新しいコンタクト加工法
A novel contact process for power MOSFET’s.
著者 (4件):
CHEN G
(Fairchild Semiconductor, CA, USA)
,
SAPP S
(Fairchild Semiconductor, CA, USA)
,
WYLIE N
(Fairchild Semiconductor, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
7
号:
12
ページ:
672-673
発行年:
1986年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)