文献
J-GLOBAL ID:200902065414927439
整理番号:91A0119337
犠牲層を介した電子ビーム照射によるSiO2の直接ナノメータスケールパターン化
Direct nanometer scale patterning of SiO2 with electron beam irradiation through a sacrificial layer.
著者 (2件):
ALLEE D R
(Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
,
BROERS A N
(Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
57
号:
21
ページ:
2271-2273
発行年:
1990年11月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)