文献
J-GLOBAL ID:200902065428356086
整理番号:86A0336387
MOCVDで作製したInGaAs/InPヘテロ構造における輸送
Transport in InGaAs/InP heterostructures grown by MOCVD.
著者 (4件):
KANE M J
(Royal Signals and Radar Establishment, UK)
,
ANDERSON D A
(Royal Signals and Radar Establishment, UK)
,
TAYLOR L L
(Royal Signals and Radar Establishment, UK)
,
BASS S J
(Royal Signals and Radar Establishment, UK)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
170
号:
1/2
ページ:
470-479
発行年:
1986年04月
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)