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J-GLOBAL ID：200902065431489569 整理番号：91A0879450

MOSFET構造の高利得横方向バイポーラ動作

High-Gain Lateral Bipolar Action in a MOSFET Structure.

著者 (4件)：

VERDONCKT-VANDEBROEK S

(Cornell Univ., NY)

WONG S S

(Stanford Univ., CA)

WOO J C S

(Univ. California, Lon Angeles, CA)

KO P K

(Univ. California, Berkeley, CA)

資料名：

IEEE Transactions on Electron Devices (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻： 38 号： 11 ページ： 2487-2496 発行年： 1991年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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