文献
J-GLOBAL ID:200902065545821849
整理番号:87A0530861
界面制御層を挿入した光CVD SiN-InP MISFETの作製と評価
Fabrication and characterization of InP MISFET with interfacial control layer and photo-CVD SiN insulator.
著者 (7件):
石井敦司
(北大 工)
,
田中利広
(北大 工)
,
LUO J-K
(北大 工)
,
石井宏辰
(北大 工)
,
松崎賢一郎
(北大 工)
,
大野英男
(北大 工)
,
長谷川英機
(北大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
87
号:
173
ページ:
43-50(ED87-83)
発行年:
1987年09月18日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)