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文献
J-GLOBAL ID：200902069654193845
整理番号：86A0170181
ひずみ層MOCVDによるGaAs中のキャリアの寿命と拡散距離の増大
Enhanced carrier lifetime and diffusion length in GaAs by strained-layer MOCVD.
BENEKING H
(Aachen Technical Univ., Federal Republic of Germany)
,
NAROZNY P
(Aachen Technical Univ., Federal Republic of Germany)
,
ROENTGEN P
(Aachen Technical Univ., Federal Republic of Germany)
,
YOSHIDA M
(Aachen Technical Univ., Federal Republic of Germany)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 7 号： 2 ページ： 101-103 発行年： 1986年02月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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