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文献
J-GLOBAL ID：200902070149168230
整理番号：82A0054816
GaAsのイオン注入と低温エピタキシャル再成長
Ion implantation and low-temperature epitaxial regrowth of GaAs.
GRIMALDI M G
(California Inst. Technology)
,
PAINE B M
(California Inst. Technology)
,
NICOLET M-A
(California Inst. Technology)
,
SADANA D K
(Univ. California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 6 ページ： 4038-4046 発行年： 1981年06月
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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